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              產品名稱:
              RTP-1200快速退火爐

              產品概要: 韓國Ecopia公司生產,最大樣品尺寸:15mm X 20mm。RTP-1200特點:使用單相電,普通照明電即可使用;風冷設計、無須采購冷水機;真空退火,可以使用氫氮混合氣(<10%比例氫氣)。
              零售價
              0.0
              市場價
              0.0
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              產品編號
              11
              數量
              -
              +
              庫存:
              0
              產品展示
              參數

              RTP-1200小型快速退火爐(RTP/RTA)為韓國進口的快速退火爐。
              該儀器:尺寸小巧,使用風冷、無須水冷,電流要求不高(3安培),性價比高,使用方便,非常適合科研院所的科研使用。

              技術規格:
                - 加熱方式:紅外鹵素燈,600W;
                - 紅外燈數量:4支;
                - 最快升溫速率:100℃/秒;
                - 最快降溫速率:50秒(1000℃ → 400℃);
                - 最高溫度:1200℃;
                - 溫度精度:+/-0.3℃
                - 最大樣品尺寸:15 x 20mm;
                - 退火環境:真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氮混合氣等);
                - 真空泵及極限壓力:機械泵,10-3Torr水平(選配);
                - 電壓:220 V,單相;
                - 儀器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);
                - 質量:凈重30Kg;

               

              儀器特點:

              • 可在真空/不同氣氛/空氣不同環境下,對樣品進行快速熱處理;
              • 溫控精度高;
              • 無須配置冷水機;
              • 無須使用三相電,普通實驗室單相電即可使用;
              • 緊湊的臺式設計;
              • 儀器操作方便,樣片裝取容易;
              • 適合高?;蜓芯克蒲惺褂?;
              • 價格合理,高性價比;
              •  

              應用領域:

              • 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
              • 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
              • 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
              • 硅化 (Silicidation);
              • 擴散 (Diffusion);
              • 化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
              • 離子注入后退火 (Implant Annealing);
              • 電極合金化 (Contact Alloying);
              • 晶體化和致密化 (Crystallization and Densification);
              • 合金熔點分析;
              • 薄膜沉積;
              • 等等…

               

              參考用戶:
              北京大學、南京大學、吉林大學、湖南大學、廣西大學、齊齊哈爾大學、西北大學、中科院北京納米所、中科院蘇州納米所、蘇州EST等。

              關鍵詞:
              快速退火爐;
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